1976년 줌스테그 외. 열수법을 사용하여 루비듐 티타닐 포스페이트(RbTiOPO₄, RTP라고 함) 결정체. RTP 결정은 사방정계 시스템이며, mm2점 그룹, P_나21 공간 그룹, 큰 전기 광학 계수, 높은 광 손상 임계값, 낮은 전도도, 넓은 전송 범위, 비조해성, 낮은 삽입 손실의 포괄적인 이점이 있으며 높은 반복 주파수 작업에 사용할 수 있습니다(최대 100 kHz), 등. 그리고 강한 레이저 조사에서는 회색 표시가 없습니다. 최근 몇 년 동안, 특히 고반복률 레이저 시스템에 적합한 전기 광학 Q-스위치를 준비하는 데 널리 사용되는 재료가 되었습니다..

RTP의 원료는 녹을 때 분해되며 기존의 멜트 풀링 방식으로는 성장할 수 없습니다. 일반적으로 융점을 낮추기 위해 플럭스가 사용됩니다. 원료에 다량의 플럭스가 첨가되기 때문에’RTP를 대형 및 고품질로 키우기 매우 어렵습니다. 1990년 Wang Jiyang과 다른 사람들은 셀프 서비스 플럭스 방법을 사용하여 15의 무색, 완전하고 균일한 RTP 단결정을 얻었습니다. mm×44 mm×34 mm 및 그 성능에 대한 체계적인 연구를 수행했습니다. 1992년 오셀레치크외. 유사한 셀프 서비스 플럭스 방법을 사용하여 크기가 30인 RTP 결정을 성장시켰습니다. mm×40 mm×60 mm 및 높은 레이저 손상 임계값. 2002년 칸난 외. 소량의 MoO 사용₃ (0.002 mol%) 약 20 크기의 고품질 RTP 결정을 성장시키기 위한 top-seed 방법의 플럭스로 mm. 2010년 Roth와 Tseitlin은 각각 [100]과 [010] 방향 종자를 사용하여 탑 시드 방법을 사용하여 대형 RTP를 재배했습니다.

제조 방법과 전기 광학 특성이 유사한 KTP 결정과 비교하여 RTP 결정의 저항률은 2~3배 더 높습니다(10⁸ Ω·cm), 따라서 RTP 결정은 전해 손상 문제 없이 EO Q-스위칭 애플리케이션으로 사용될 수 있습니다. 2008년 샬딘외. 약 0.5의 저항으로 단일 도메인 RTP 결정을 성장시키기 위해 탑 시드 방법을 사용했습니다.×10¹² Ω·cm, 이는 더 큰 투명 조리개를 가진 EO Q 스위치에 매우 유용합니다. 2015년 저우하이타오외. a-축 길이가 20보다 큰 RTP 결정 mm는 수열법에 의해 성장되었고, 저항률은 10¹¹~10¹² Ω·센티미터. RTP 수정은 이축 수정이기 때문에 EO Q-스위치로 사용하는 경우 LN 수정 및 DKDP 수정과 다릅니다. 쌍의 하나의 RTP는 90도 회전해야 합니다.°자연 복굴절을 보상하기 위해 빛의 방향으로. 이 디자인은 크리스탈 자체의 높은 광학적 균일성을 요구할 뿐만 아니라 Q-스위치의 더 높은 소광비를 얻기 위해 두 크리스탈의 길이가 최대한 가까워야 합니다.

우수한 것으로 EO Q 스위치NS 재료 고반복 주파수, RTP 크리스탈s 크기 제한에 따라 큰 경우에는 불가능합니다 클리어 조리개 (상용 제품의 최대 조리개는 6mm에 불과합니다.). 따라서 RTP 결정의 제조 ~와 함께 큰 크기와 고품질 뿐만 아니라 어울리는 기술 NS RTP 쌍 여전히 필요하다 많은 양의 연구 작업.