LiNbO3 결정

간단한 설명:

LiNbO3 (리튬 니오 베이트) 결정은 압전, 강유전체, 초전, 비선형, 전기 광학, 광탄성 등의 특성을 통합하는 다기능 재료입니다. LiNbO3는 우수한 열 안정성과 화학적 안정성을 가지고 있습니다.

제품 상세 정보

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린보_삼(리튬 니오 베이트) 결정은 압전, 강유전체, 초전, 비선형, 전기 광학, 광탄성 등의 특성을 통합 한 다기능 재료입니다. LiNbO_삼 열 안정성 및 화학적 안정성이 우수합니다.

가장 철저하게 특성화 된 비선형 광학 재료 중 하나 인 LiNbO_삼 다양한 주파수 변환 애플리케이션에 적합합니다. 예를 들어, 파장> 1 μm 및 1064 nm에서 펌핑 된 광학 파라 메트릭 발진기 (OPO) 및 준 위상 정합 (QPM) 장치에 대한 주파수 이중화 장치로 널리 사용됩니다. EO 및 AO 계수가 커서 LiNbO_삼 crystal은 또한 위상 변조기, 도파관 기판, 탄성 표면파 웨이퍼 및 Nd : YAG, Nd : YLF 및 Ti-Sapphire 레이저의 Q 스위칭에 일반적으로 사용됩니다.

린보_삼Er, Pr, Mg, Fe 등과 같은 다양한 원소로 도핑되어 재료 고유의 특성을 부여합니다. 예를 들어 MgO의 손상 임계 값 : LiNbO_삼순수한 LiNbO의 2 배 이상_삼.

LiNbO 응용 분야에 가장 적합한 솔루션에 대해 문의하십시오_삼 결정.

비등점 능력 -LiNbO_삼

• 응용 분야에 따라 다양한 크기의 완성 된 부품.

• 엄격한 품질 관리

• 안정적인 배송

• 매우 경쟁력있는 가격

• 기술적 지원

WISOPTIC 표준 사양^* -LiNbO_삼

치수 공차	± 0.1 mm
각도 공차	± 0.5 °
평탄	<λ / 8 @ 632.8 nm
표면 품질	<20/10 [S / D]
병행	<20”
수직	≤ 5 '
모따기	≤ 0.2mm @ 45 °
전송 된 파면 왜곡	<λ / 4 @ 632.8 nm
조리개 지우기	> 90 % 중앙 지역
코팅	AR 코팅 : R <0.2 % @ 1064 nm, R <0.5 % @ 532 nm
* 요청시 특별 요구 사항이있는 제품.

다운로드 기술 데이터-LiNbO3

MgO : LiNbO의 장점_삼 LiNbO와 비교_삼

• 펄스 Nd : YAG (65 %) 및 CW Nd : YAG (45 %)에 대한 고주파수 배가 (SHG) 효율

• OPO, OPA, QPM 더블 러 및 통합 도파관의 응용 분야에서 더 높은 성능

• 훨씬 더 높은 광 굴절 피해 임계 값

주요 애플리케이션-LiNbO_삼

• 파장> 1 μm에 대한 주파수 더블 러

• 1064 nm에서 펌핑 된 광학 파라 메트릭 발진기 (OPO)

• 준 위상 정합 (QPM) 장치

• Q 스위치 (Nd : YAG, Nd : YLF 및 Ti- 사파이어 레이저 용)

• 위상 변조기, 도파관 기판, 탄성 표면파 웨이퍼

물리적 특성-LiNbO_삼

화학식	린보_삼
결정 구조	삼각
포인트 그룹	삼미디엄
공간 그룹	아르 자형삼씨
격자 상수	ㅏ= 5.148 Å, 씨= 13.863 Å, 지 = 6
밀도	4.628 g / cm^삼
녹는 점	1255 ° C
퀴리 온도	1140 ° C
모스 경도	5
열 전도성	25 ° C에서 38 W / (m · K)
열팽창 계수	2.0 × 10^-6/ K (// a), 2.2 × 10^-6/ K (// c)
흡습성	비 흡습성

광학 특성-LiNbO_삼

투명도 지역 ( "0"투과율 수준에서)	400-5500 nm
굴절률	1300nm	1064nm		632.8nm
	엔_이자형= 2.146 엔_영형= 2.220	엔_이자형= 2.156 엔_영형= 2.232		엔_이자형= 2.203 엔_영형= 2.286
열 광학 계수	dn_영형/디T = -0.874 × 10^-6/ K @ 1.4 μm dn_이자형/디T = 39.073 × 10^-6/ K @ 1.4 μm
선형 흡수 계수	326nm		1064nm
	α = 2.0 / cm		α = 0.001 ~ 0.004 / cm
NLO 계수	디₃₃ = 34.4pm / V, 디₂₂ = 3.07pm / V, 디₃₁ = 디₁₅ = 5.95pm / V
전기 광학 계수	γ^티₃₃= 32pm / V, γ^에스₃₃= 31pm / V, γ^티₃₁= 10pm / V, γ^에스₃₁= 8.6pm / V, γ^티₂₂= 6.8pm / V, γ^에스₂₂= 3.4pm / V
반파 전압 (DC)	전기장 // z, 빛 ⊥ z				3.03 kV
	전기장 // x 또는 y, 빛 // z				4.02 kV
피해 임계 값	100 MW / cm² @ 1064nm, 10ns